重磅新品！國(guó)儀量子200kV場(chǎng)發(fā)射透射電鏡發(fā)布

更新時(shí)間：2026-10-19 點(diǎn)擊次數(shù)：2819

國(guó)產(chǎn)電鏡關(guān)鍵一躍｜國(guó)儀量子200kV場(chǎng)發(fā)射透射電鏡發(fā)布！

CIQTEK 國(guó)儀量子 2026年10月19日 10:07

重磅新品！國(guó)儀量子200kV場(chǎng)發(fā)射透射電鏡發(fā)布

10月18日，在2026年全國(guó)電子顯微學(xué)學(xué)術(shù)年會(huì)上，國(guó)儀量子正式發(fā)布自主研發(fā)的200kV場(chǎng)發(fā)射透射電鏡TEM-F200。以0.10nm信息分辨率、高靈敏度元素分析與自主研制的核心部件，讓國(guó)產(chǎn)透射電鏡走進(jìn)材料科學(xué)與半導(dǎo)體的主戰(zhàn)場(chǎng)。這標(biāo)志著國(guó)產(chǎn)高端透射電鏡從研制突破加快邁向產(chǎn)品化交付階段。

長(zhǎng)期以來，全球透射電鏡市場(chǎng)由少數(shù)國(guó)際廠商主導(dǎo)。設(shè)備采購(gòu)、關(guān)鍵部件供應(yīng)、維修維護(hù)、軟件適配、應(yīng)用服務(wù)—國(guó)內(nèi)用戶的每一個(gè)環(huán)節(jié)，都長(zhǎng)期依賴外部供給。高端透射電鏡實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化，不只是技術(shù)上的突破，更意味著把供應(yīng)鏈的主動(dòng)權(quán)握在自己手里。

錢花在配置上，不花在溢價(jià)上。

這是國(guó)儀量子為高端透射電鏡給出的答案。200kV場(chǎng)發(fā)射透射電鏡TEM-F200的推出，補(bǔ)上的正是這塊短板。不是多一個(gè)型號(hào)，而是讓國(guó)產(chǎn)透射電鏡走進(jìn)材料科學(xué)與半導(dǎo)體的主戰(zhàn)場(chǎng)。

它憑什么做到0.10nm？——硬核底座

重磅新品！國(guó)儀量子200kV場(chǎng)發(fā)射透射電鏡發(fā)布

一臺(tái)透射電鏡的成像上限，往往由幾個(gè)關(guān)鍵部件決定。

高壓電源與電子槍

自研高壓電源，加速電壓穩(wěn)定性小于10ppm/h，加速高壓紋波小于0.5ppm；配高亮度場(chǎng)發(fā)射電子槍，低能散、高相干性，帶來更優(yōu)信息極限。電壓穩(wěn)、束流穩(wěn)，后面的成像與分析才立得住。

物鏡與樣品臺(tái)

恒功率水冷物鏡，線圈并組繞制實(shí)現(xiàn)功率恒定，無論激勵(lì)如何變化，透鏡溫度保持恒定；樣品臺(tái)為X/Y/Z/α四軸，配雙傾樣品桿可實(shí)現(xiàn)五軸，傾轉(zhuǎn)角α為±30°、β為±25°，標(biāo)配單傾桿。

光闌與自動(dòng)化

聚光鏡光闌、物鏡光闌、選區(qū)光闌全自動(dòng)控制，集成于PC端，位置記憶、一鍵調(diào)整。

主相機(jī)：國(guó)產(chǎn)首臺(tái)TEM專用光纖耦合CMOS相機(jī)

自主研制的“星耀-16M"光纖耦合CMOS相機(jī)：9μm像元CMOS傳感器，4K×4K像素，1:1光纖耦合，全分辨率最高幀率24fps；相機(jī)控制與圖像處理集成至電鏡主程序，采集與后處理在同一套軟件里完成。透射電鏡最核心的成像部件之一，國(guó)產(chǎn)有了專用方案。

產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

200kV場(chǎng)發(fā)射透射電鏡

高分辨成像與高靈敏度元素分析，一臺(tái)機(jī)器兼顧。Super-EDS超大面積極譜采用對(duì)插式雙探頭，SDD總探測(cè)面積200mm2，無窗設(shè)計(jì)，能量分辨率≤127eV，元素分析又快又準(zhǔn)。

關(guān)鍵部件，自主研制。主相機(jī)“星耀-16M"，正是國(guó)產(chǎn)首臺(tái)TEM專用光纖耦合CMOS相機(jī)：100%占空比與超低讀出噪音，合并像素后最高幀率優(yōu)于96fps。核心部件自己掌握，供應(yīng)鏈才穩(wěn)。

人機(jī)分離，全流程自動(dòng)。熒光屏相機(jī)畫面實(shí)時(shí)傳輸至PC顯示器，工程師不必守在鏡筒旁；高壓自動(dòng)控制、電子槍自動(dòng)啟停、整機(jī)狀態(tài)實(shí)時(shí)顯示、真空系統(tǒng)自動(dòng)抽放氣、樣品位置自動(dòng)導(dǎo)航、主相機(jī)與STEM探測(cè)器自動(dòng)控制，操作更輕松。

拓展性留在設(shè)計(jì)里。原位樣品桿、冷凍組件、側(cè)插相機(jī)、EDS、EELS、旋進(jìn)電子衍射，均可按需接入，隨課題一起成長(zhǎng)。

服務(wù)，以標(biāo)準(zhǔn)化為準(zhǔn)。全天候技術(shù)支持熱線；2小時(shí)內(nèi)提供遠(yuǎn)程技術(shù)指導(dǎo)；48小時(shí)內(nèi)全國(guó)范圍上門服務(wù)；原廠正品備件快速更換。

它到底能做什么？——樣品說話

案例：從半導(dǎo)體到先進(jìn)材料

半導(dǎo)體FinFET器件

器件局部納米結(jié)構(gòu)及晶格條紋細(xì)節(jié)清晰可見，F(xiàn)FT結(jié)果顯示分辨率達(dá)到了1.045?。

半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片

截面的明場(chǎng)透射圖像中，多層薄膜與介質(zhì)層構(gòu)成的器件結(jié)構(gòu)層次分明。

航空航天7075鋁合金

TEM-BF（左）與STEM-HAADF（右）圖像，可見晶內(nèi)析出相、不連續(xù)的晶界析出相及晶界無析出帶。

FeNi納米顆粒

顆粒整體呈近圓形，外層可見非晶氧化層。

從120kV到200kV，覆蓋更多可能

同期，國(guó)儀量子還發(fā)布了120kV場(chǎng)發(fā)射透射電鏡TEM-F120。它配備肖特基場(chǎng)發(fā)射電子槍，兼顧高襯度與高分辨成像；綜合換樣時(shí)間小于5分鐘，電鏡空間與工作空間分離，減少人為干擾，操作體驗(yàn)舒適，更加適配生命科學(xué)、常規(guī)材料科研等場(chǎng)景。

2026年全國(guó)電子顯微學(xué)學(xué)術(shù)年會(huì)期間，歡迎蒞臨國(guó)儀量子展臺(tái)，近距離了解TEM-F200和TEM-F120的最新進(jìn)展。

200kV場(chǎng)發(fā)射透射電鏡TEM-F200，預(yù)計(jì)12月起接收測(cè)樣申請(qǐng)。

重磅新品！國(guó)儀量子200kV場(chǎng)發(fā)射透射電鏡發(fā)布

國(guó)產(chǎn)電鏡 關(guān)鍵一躍｜國(guó)儀量子200kV場(chǎng)發(fā)射透射電鏡發(fā)布！

國(guó)產(chǎn)電鏡關(guān)鍵一躍｜國(guó)儀量子200kV場(chǎng)發(fā)射透射電鏡發(fā)布！